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Diodes MOSFET原装现货DMN6068SE-13 N沟道, 60 V, 5.6 A,SOT-223

Diodes MOSFET原装现货DMN6068SE-13 N沟道, 60 V, 5.6 A,SOT-223
Diodes MOSFET原装现货DMN6068SE-13 N沟道, 60 V, 5.6 A,SOT-223
  • 品牌:

    Diodes

  • 型号:

    DMN6068SE-13

  • 封装:

    SOT-223

  • 批号:

    18+

  • FET类型:

    N沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    60 V

  • 漏极电流(Id):

    5.6 A

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    100 mΩ

  • 栅源电压(Vgs):

    -20 V、+20 V

  • 栅极电荷(Qg):

    10.3 nC @ 10 V

  • 反向恢复时间:

    11.9 ns

  • 耗散功率:

    3.7w

VIP会员 第 15
  • 企业名:深圳市原力达电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83722245
    0755-28194352
    0791-86663634
    0791-86227604

    手机:13410646086
    13682394352

    联系人:周洁/万玲/程盛钦/程效良

    QQ: QQ:3007518840QQ:3007518847

    邮箱:270086795@QQ.COM

    地址:广东深圳深圳分公司:深圳市坪山区坑梓街道沙田开沃大厦C座1813室/南昌分公司:南昌市高新区京东路恒大高新研发楼606-607/ 香港分公司:ROOM 803,CHEVALIER HOUSE 45-51

产品分类
商品信息

产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

 
 
 

MOSFET 晶体管,Diodes Inc.

 
 
产品技术参数
属性数值
通道类型N
连续漏极电流5.6 A
漏源电压60 V
漏源电阻值100 mΩ
栅阈值电压3V
栅源电压-20 V、+20 V
封装类型SOT-223
安装类型表面贴装
引脚数目3 + Tab
晶体管配置
通道模式增强
类别功率 MOSFET
功率耗散3.7 W
长度6.7mm
典型关断延迟时间11.9 ns
晶体管材料Si
典型接通延迟时间3.6 ns
工作温度+150 °C
典型输入电容值@Vds502 pF@ 30 V
高度1.65mm
尺寸6.7 x 3.7 x 1.65mm
典型栅极电荷@Vgs10.3 nC @ 10 V
工作温度-55 °C
每片芯片元件数目1
宽度3.7mm

联系方式

企业名:深圳市原力达电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83722245
0755-28194352
0791-86663634
0791-86227604

手机:13410646086
13682394352

联系人:周洁/万玲/程盛钦/程效良

QQ: QQ:3007518840QQ:3007518847QQ:3007518731QQ:3007518827

邮箱:270086795@QQ.COM

地址:广东深圳深圳分公司:深圳市坪山区坑梓街道沙田开沃大厦C座1813室/南昌分公司:南昌市高新区京东路恒大高新研发楼606-607/ 香港分公司:ROOM 803,CHEVALIER HOUSE 45-51

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