FAIRCHILD/*童
7N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
全塑封TO20F封装，用于开关电源开关管，性能好。"
手机：
SX
SX3205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
TR/激励、驱动
=
=
供应 8毫欧 *内阻 电动车控制器用MOSFET 110A 60V Features■ RDS(on) (Max 0.008 ?) @ VGS=10V■ Performance and Cost Competitive■ Advanced Trench Technology ■ Low RDS(on) M...
电话：022-23673948
IR/国际整流器
IRFP150N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
长期现货供应： IRF1010E IRF530PBF IRF830PBF IRFZ44NPBF IRFP450PBF IRF3205PBF IRF540PBF IRF840PBF IRFP150PBF IRFP460PBF IRF3710PBF IRF640PBF IRF9540PBF IRFP250PBF IRF4905P...
电话：022-27375111
品牌:SGS法意电子 型号:STP75NF68 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:68（V） 夹断电压:68（V） 低频跨导:=（μS） *间电容:=（pF） 低频噪声系数:=（dB） 漏*电流:80（mA） 耗散功率:200（mW）型号：STP75NF68封...
电话：022-27375111
品牌:NXP,M/A-COM 型号:RF Power MOSFETs. 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MW/微波供应NXP,M/A-COM,Infineon,NEC,Sirenza,Microsemi等公司的射频功率MOSFETs.
手机：
品牌/商标 Toshiba东芝 型号/规格 SK20DGDL065ET 控制方式 BTG可控硅 *数 多* 封装材料 金属封装 封装外形 平板形 关断速度 普通 散热功能 带散热片 功率特性 *率 频率特性 中频 额定正向平均电流 100（A） 控制*触发电压 1（V） 控制*触发电流 1（mA） 正向重复峰值电压 1（V） 反向阻断峰值电压 1（V）
电话：22-27342113
手机： 13902005309
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流
