您是不是要找: 7N60场效应管 IRF730场效应管 P沟道MOS场效应管 P沟道场效应管 场效应管 电源场效应管
IRFB3607
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
IRFB3607 和FAN78883 Half-Bridge Gate-Drive ICFeaturesDescription. Floating Channel for Bootstrap Operation to +200VThe FAN7888 is a monolithic three half-bridge gate-driv...
电话:13777447311
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PM25RSB120云达电子科技
MITSUBISHI(三菱)
普通型
云达电子科技供应 三菱 富士 IXYS 西门康 等品牌模块 MAX,AD,NXP,FSC,ST,金升阳模块,长电,STC大量原装现货供应, 智能功率模块PM25RSB120在变频调速中的应用 IGBT智能功率模块IPM(INTELLIGENT POWER MODULE) 是一种几个高速、低功耗的IGBT和选的门极驱动电...
电话:0571-56789287
手机:13858134520
时间
国产
DHC1
DHC1
*率
/
/
一开三闭
*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1:1997 电 源 AC220V (50Hz) 触点电寿命 ≥1×105...
电话:86 0571 85364285
IRF630
创博
直插型
普通型
直插式
散装
富阳创博科技有限公司生产三*管(大功率)、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。三*管:2SC3320 2SC5200 2SC3998 2S*237 2SC2922 3DD5686 3DF50C 2S...
电话:0571-63342995
手机:13706813019
IRF830
*童
TO-220
无铅*型
直插式
散装
*率
公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品:2SC3998(塑封:...
电话:0571-63342995
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ST/意法
STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
场效应管规格:品牌ST型号STP75NF75FP种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电动车充电电路封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-P-FET锗P沟道 原装,现货! 品牌:ST 型号:STP...
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NS/国半
各种型号都有
结型(JFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
我公司全系列供应以下贴片/直插电子元件: 贴片/直插:各种电阻 各种电容贴片/直插:各种二 三*管贴片/直插:各种LED发光二*管 贴片/直插:其他被动和配套元器件 IC类有:40**系列 比...
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IR/国际整流器
IRF840
TO-220
结型(JFET)
N沟道
IRF3205PBF IRF1010E、 IRF640N、 IRF2807 IRF3710 IR2153、 IR2156、 IR2157、 IR21592、 IR2166、 IR2167 、 IR2520D、 IR2520DS 、 IR2161、 IR1150ISPBF IRF830PBF、 IRF840PBF、...
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矽利康
SSF6010
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
MOSFETPart NumberPackageConfigurationVDSS min(V)VGS(V)VGS(th) min(V)RDS(on) maxQg t* @Vgs=10V(nC)Qg t* @Vgs=4.5V(nC)Qgs(nC)Qgd(nC)ID(A)Pd max(W)Rg t*(Ω)at V...
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INFINEON/英飞凌
H20R1202
结型(JFET)
N沟道
增强型
宝贝概略*,*出售! 邮资说明 本店设置的邮费均以快递公司收费为准,所标均为*重快递费,具体邮费请咨询卖家。 本店可以发申通,圆通,中通,韵达等快递及EMS和平邮,一般选择发快递...
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杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...
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SMD(SO)/表面封装
AOD409
P-FET硅P沟道
SW-REG/开关电源
AOS/美国万代
P沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
杭州*鹄电子科技有限公司--------的电子元器件供应商,只做*原装长期为各广大终端工厂提供电子元器件配套服务。严格的质量把关,*质量100%*本公司供应的产品较多,无法一一上传,如有...
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N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
功率型
300
LWH300G603
SP/*外形
20KHZ
LS/产电
产品名称:LWH300G603--韩国LS IGBT模块价格:电谈/面谈 该模块是韩国LS产电(原LG电子)针对工业应用推出的2单元LS IGBT模块。其相对竞争优势主要体现在两方面:一、质高:模块内嵌静...
手机:15306589109
IR/国际整流器
IRF730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
供应IR 原装*MOS管。IRF740IRF730IRF9530IRF9540IRF640IRF540等等IR型号MOS管长期备有大量库存,欢迎来电咨询!
手机:13666606114
SILAN/士兰微
SVF12N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
:余开权 手机:A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF12N60T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计...
手机:
品牌:SGS法意电子型号:STP80NF70种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型ST针对国内电动车市场研发生产,延续了ST芯片平面制造工艺,VDSS:68V,ID:98A,内阻*9.8毫欧。更加适用于48V及以下电动车控制器,更高的电流,更低的内阻,强力推荐
电话:86 0571 88009063
手机:15957108206
品牌:STI美国半导体技术型号:HFP50N06种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型HFP50N06 功率120W 50A 60V 内阻0.022,TO-220,有大量库存,*销售,有需要者请及时联系.联系电话.联系人:钟"
电话:86 0571 89908245
ALE美国
TY8205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DC/直流
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
20V, 6A, RDS(on) (Max 25 mΩ) @ VGS=4.5VRDS(on) (Max 37 mΩ) @ VGS=2.5V■ Performance and Cost Competitive■ Advanced Trench Technology■ Low RD...
电话:86 571 85459810
手机:13735431139
FEIHONG
FHP7N80
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
所报价格可能会随市场有所波动,具体请来电面议,祝合作愉快!目前杭州利普电子科技有限公司涉及配套领域:各种电源充电器及控制器、仪器仪表、*性照明类、汽车电子、音响设备、通讯...
电话:86 571 88009772
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MDP9N60
Magnachip
TO-220
无铅*型
直插式
盒带编带包装
*率
MDP9N60 TO-220F封装 VDS:600V ID:9A RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...
电话:0571-89902046
手机:13738103737
一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流