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场效应管MOSFET

(共找到“4”条查询结果)
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扬州
源头工厂
  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    8N80

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    飞虹

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

韩国飞虹MOS 全系列 高端品质 *出售。 "

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDS8958A

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

扬州华之鑫电子代理分销美国FAIRCHILD品牌MOS管及电源IC,只做*原装货,价格有竞争力,部份现货。具体型号有:FDP038AN06A0 TO-220 FQA9N90C TO-*FQA11N90C TO-* FQPF10N60C TO-220FF...

    型号:12V规格型号:12V外观:圆形闪光器

      产品名称:12V三线闪光器 用途:转向灯闪光 尺寸:25(mm) 品牌:荣正 型号:RZ-12 适用车型:电动车规格型号:12V外观:圆形闪光器闪*度为:75闪/分钟

      • 高邮市荣正电子厂
      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:生产加工
      • 地区:江苏扬州
      • 电话:0514-84842812

      场效应管MOSFET技术资料

      • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

        一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

      • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

        Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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