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MOS-N N沟道达林顿管 场效应管

供应MOS-N N沟道达林顿管 场效应管
供应MOS-N N沟道达林顿管 场效应管
  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    MOS-N LY5802

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    /(V)

  • 夹断电压:

    /(V)

  • *间电容:

    /(pF)

  • 低频噪声系数:

    /(dB)

普通会员
  • 企业名:厦门随源电子科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 0592-5933267

    联系人:张丽平86-0592-5933267

    邮箱:zhanglp0515@yahoo.com.cn

    地址:福建厦门福建省厦门厦门市思明区会展路506号102室

产品分类
商品信息

工作原理

   场效应管工作原理用一句话说,就是“漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏*-源*间所加VDS的电场,源*区域的某些电子被漏*拉去,即从漏*向源*有电流ID流动。从门*向漏*扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。 

      在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有*缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏*-源*间的电场,实际上是两个过渡层接触漏*与门*下部附近,由于漂移电场拉去的*电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源*的很短部分,这更使电流不能流通。

 











联系方式

企业名:厦门随源电子科技有限公司

类型:经销商

电话: 0592-5933267

联系人:张丽平86-0592-5933267

邮箱:zhanglp0515@yahoo.com.cn

地址:福建厦门福建省厦门厦门市思明区会展路506号102室

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