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LTV-244-GB-G-DLR
光宝
无铅环保型
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SOT23-3
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7MBR25VKD120-50
FUJITSU(富士通)
无铅环保型
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MODULE
FUJI/富士模块7MBR25VKD120-50:IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IG...
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Toshiba Semiconductor and Storage
TO-220-3
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产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...
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英飞凌InfineonIRF640NSTRLPBF
INFINEON(英飞凌)
D2PAK
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NTB18N06LT4G
ON(安森美)
TO263
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中功率
FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds O...
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MMD240S160B
MACMIC宏徽
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MMD70E120X MMD70E160X MMD70E180X MMD100E120X MMD100E160X MMD100E180X MMD150F120X MMD150F160X MMD150F180X MMD200F120X MMD200F160X MMD200F180X MMD250F120X MMD250F160X MMD25...
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AOTF4S60
NA
SOP8
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ST(意法半导体)
TO-247-3
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管件
产品编号:STW48NM60N 描述:通孔 N 通道 600 V 44A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3 产品属性STW48NM60N 类型 描述STW48NM60N 选择 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ...
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IRFP3206PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC
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管装
超大功率
N 通道
产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc) 驱动电压( Rds On, 小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs...
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深圳市汇莱威科技有限公司是国内首批斥巨资开发的电子元器件小批量采购电商之一。2017年拿到众山海润资产管理首轮天使投资,自营品牌:TI、ADI、XILINX、ALTERA/Intel汇聚中小企业殷...
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IRF530NPBF
INFINEON(英飞凌)
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INFINEON(英飞凌)
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模块MSK4800H 原厂货源正常排单 MSK4800H 特征 半桥配置 额定电压600V 450A连续输出电流 门上的内部齐纳夹 专有封装提供近乎密封的性能 可进行Hi-Rel筛选(修改38534) 轻质拱形Alsic...
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芯片详情:型号:BSO204P类型:场效应管MOSFET P-KANAL深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商,致力于芯片代理、推广、销售及方案,产品应用于温控、电力系统自动化产品、交...
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一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流