产品种类:

MOSFET

制造商:

Infineon

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

150 V

Id-连续漏极电流:

60 A

Rds On-漏源导通电阻:

32 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

30 V

Qg-栅极电荷:

60 nC

封装:

Tube

商标:

Infineon Technologies

高度:

15.65 mm

长度:

10 mm

Pd-功率耗散:

320 W

工厂包装数量:

400

晶体管类型:

1 N-Channel

宽度:

4.4 mm

单位重量:

6 g