产品种类:

MOSFET

制造商:

ON Semiconductor

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

650 V

Id-连续漏极电流:

35 A

Rds On-漏源导通电阻:

110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:

5 V

Vgs - 栅极-源极电压:

20 V, 30 V

Qg-栅极电荷:

98 nC

工作温度:

- 55 C

工作温度:

+ 150 C

配置:

Single

通道模式:

Enhancement

商标名:

SuperFET II FRFET

封装:

Tube

商标:

ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:

5.7 ns

正向跨导 - 值:

30 S

高度:

16.3 mm

长度:

10.67 mm

Pd-功率耗散:

357 W

上升时间:

21 ns

系列:

FCP110N65F

工厂包装数量:

50

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

89 ns

典型接通延迟时间:

31 ns

宽度:

4.7 mm

单位重量:

1.800 g