1.800 g
4.7 mm
31 ns
89 ns
1 N-Channel
FCP110N65F
21 ns
企业名:深圳市宏博通电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82525734
手机:18126241314
联系人:林小姐
邮箱:bruce_lee@hongbotong.com
地址:广东深圳深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座2007室
若先不接VGS(即VGS=0),在D与S极之间加一正电压VDS,漏极D与衬底之间的PN结处于反向,因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板,而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时,在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷,而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子(空穴)的极性相反,所以称为“反型层”,这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时,感应出来的负电荷较少,它将被P型衬底中的空穴中和,因此在这种情况时,漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时,其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道,这个临界电压称为开启电压(或称阈值电压、门限电压),用符号VT表示(一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT)。当VGS继续增大,负电荷增加,导电沟道扩大,电阻降低,ID也随之增加,并且呈较好线性关系,如图3所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为,改变VGS来控制漏源之间的电阻,达到控制ID的作用。
由于这种结构在VGS=0时,ID=0,称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET,在VGS=0时也有一定的ID(称为IDSS),这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图4所示,它的转移特性如图5所示。VP为夹断电压(ID=0)
产品种类: |
MOSFET |
制造商: |
ON Semiconductor |
技术: |
Si |
安装风格: |
Through Hole |
封装 / 箱体: |
TO-220-3 |
通道数量: |
1 Channel |
晶体管极性: |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: |
650 V |
Id-连续漏极电流: |
35 A |
Rds On-漏源导通电阻: |
110 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压: |
5 V |
Vgs - 栅极-源极电压: |
20 V, 30 V |
Qg-栅极电荷: |
98 nC |
工作温度: |
- 55 C |
工作温度: |
+ 150 C |
配置: |
Single |
通道模式: |
Enhancement |
商标名: |
SuperFET II FRFET |
封装: |
Tube |
商标: |
ON Semiconductor / Fairchild |
下降时间: |
5.7 ns |
正向跨导 - 值: |
30 S |
高度: |
16.3 mm |
长度: |
10.67 mm |
Pd-功率耗散: |
357 W |
上升时间: |
21 ns |
系列: |
FCP110N65F |
工厂包装数量: |
50 |
晶体管类型: |
1 N-Channel |
典型关闭延迟时间: |
89 ns |
典型接通延迟时间: |
31 ns |
宽度: |
4.7 mm |
单位重量: |
1.800 g |
企业名:深圳市宏博通电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82525734
手机:18126241314
联系人:林小姐
邮箱:bruce_lee@hongbotong.com
地址:广东深圳深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座2007室
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