厂家直销 MOSFET Toshiba 2SK3569

单位重量：
2 g
宽度：
4.5 mm
晶体管类型：
1 N-Channel
系列：
2SK3569
长度：
10 mm
高度：
15 mm
商标：
Toshiba

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商品信息 更新时间：2017-09-18

当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是N型，那么通道也会是N型。通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变

产品种类:	MOSFET
制造商:	Toshiba
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-220FP-3
通道数量:	1 Channel
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	750 mOhms
配置:	Single
商标:	Toshiba
高度:	15 mm
长度:	10 mm
系列:	2SK3569
工厂包装数量:	50
晶体管类型:	1 N-Channel
宽度:	4.5 mm
单位重量:	2 g