硅外延平面型对于恒压/对于浪涌吸收电路DZ2J100在SSMini2型封装特点齐纳电流I的优异特性上涨z低齐纳二极管的工作电阻RZ无卤/符合RoHS标准（欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL ： Level 1标准）单位：mm标记符号：NJ ， NU包装DZ2S100 × 0L浮雕式（热压密封） ： 3 000个/卷（标准）1 ：阴极2 ：阳极松下JEITACODESSMini2-F5-BSC-79SOD-523额定值Ta= 25°C参数重复峰值正向电流总功耗*1静电放电*2结温储存温度符号IFRMPTESDTjT英镑等级200150±8150-55到+150单位mAmWkV°C°C注）* 1 ：安装在玻璃环氧树脂印刷电路板。 （ 45毫米×45 mm×1 mm)焊料（ 0.8毫米×0.6 mm)* 2 ：测试方法： IEC61000-4-2 （ C = 150 pF的， R = 330Ω,接触放电： 10次）通用电气特性Ta= 25°C±3°C参数正向电压齐纳电压*1, 2, 4齐纳营业性齐纳升经营性反向电流齐纳电压的温度COEF网络cient*3符号VFVZRZRZKIRSZIF= 10毫安IZ= 5毫安IZ= 5毫安IZ- 0.5毫安VR= 7 VIZ= 5毫安7.29.50条件民典型值1.010.5030600.05单位VVΩΩmA毫伏/°C的注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。输入和输出的2.频率为5MHz 。3. * 1：温度必须控制在25 ℃的VZ测量。 VZ在其它温度测量值必须被调整到VZ(25°C)*2 : VZ目前溢流后，保证20毫秒。*3 : Tj= 25 ℃至150 ℃的* 4 ：等级分类网络阳离子CODE秩VZ标记符号MM9.75到10.25NU0无秩9.50到10.50NJ

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