N沟道专用的MOSFET非常适合移动DC- DC转换器低传导损耗低开关损耗LEAD -FREESSSG123487ADDDD65描述这种新设备采用了先进的HEXFET功率MOSFET技术，实现了前所未有的导通电阻和栅极电荷平衡的。该降低传导和开关损耗使这器件非常适用于高效率的DC -DC转换器供电的一代移动的微处理器。该IRF7805PbF提供的效率为移动CPU核心的DC- DC转换器。SO-8设备特点VDSRDS （ ON）QgQSWQOSST O服务P V IE WˉˉIRF7805PbF30V11mΩ31nC11.5nC36nC额定值参数VDSVGSID@ TA= 25°CID@ TA= 70°CIDMPD@TA= 25°CPD@TA= 70°CTJT英镑漏极至源极电压栅极 - 源极电压连续漏电流， VGS漏电流脉冲连续漏电流， VGS@ 10V马克斯。30单位Ve功耗e功耗ce@ 10Ve±2.51.60.02-55到+ 150W / ℃，°CWA线性降额因子工作结存储温度范围热阻RθJLRθJAg结到环境eg结到漏极引线参数典型值。––––––马克斯。2050单位° C / W

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