NVMFS5826NL功率MOSFET特点60 V ， 24毫瓦， 26 A单N通道••••••小尺寸（ 5×6毫米）的紧凑型设计低RDS （ ON）为限度地减少传导损耗低QG和电容，以限度地减少驱动器损耗NVMFS5826NLWF−可湿性侧翼产品AEC - Q101标准，并有能力PPAP这些无铅器件，符合RoHS标准https://onsemi.comV（ BR ） DSS60 VRDS （ ON）24毫瓦@ 10 V32毫瓦@ 4.5 VID26 A额定值(TJ= 25 ° C除非另有说明）参数漏极至源极电压栅极 - 源极电压连续漏电流租金řYJ- MB（注1 ，2, 3, 4)功耗RYJ- MB（注1 ，2，3 ）连续漏电流租金řqJA（注1 ， 3 ，4)功耗RqJA（注1 & 3 ）漏电流脉冲Tmb= 25°C稳定状态Tmb= 100°CTmb= 25°CTmb= 100°CTA= 25°C稳定状态TA= 100°CTA= 25°CTA= 100°CTA= 25 ° C，Tp= 10msIDMTJ, T英镑ISEASPDIDPD符号VDSSVGSID价值60±.06.03.61.8130−55to+ 1753220A°CAmJAYWZZ1单位VVAG (4)WS (1,2,3)AN沟道MOSFETD (5,6)W记号图DSSSGDXXXXXXAYWZZDD=大会地点=年=工作周=批次追踪工作结温和存储温度源电流

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