应用范围:冲击 品牌:GOODSKY/国兴 型号:a 产品系列:3UA58 触点形式:七开三闭 额定电压:AC100-127(V) 电流性质:直流 外形:*小型 功率负载:小功率 *护特征:敞开式 直流电阻:22(Ω) 吸合电流:33(A) 释放电流:44(A) 线圈功率:11(W) 额定工作频率:33(Hz)品牌富士通型号富士通 *0B1CPU类型酷睿双核屏幕...
电话:0771-88657409
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBDs)——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品(均为650V)中有7款产品采用TO-220-2L封装,其余5款采用DFN8×8封装,于今日开始支持批量出...
新型碳化硅肖特基势垒二极管将以零反向恢复电流实现卓越性能,从而确保在严苛的工作条件下降低系统温度 强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列,与硅基础的组件相比,它们提供了出色的开关性能和更高的可靠性。 强茂最新发布...
汽车电气化浪潮正席卷 ,电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出 通过 的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件...
汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。MicrochipTechnologyInc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器...
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件 的样品,及下一代700 V、50 A 肖特...