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*二*管HER101-HER108

*二*管HER101-HER108
*二*管HER101-HER108
  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    HER101 HER104 HER107 HER108

  • 封装形式:

    直插型

  • 功率特性:

    *率

  • 频率特性:

    中频

普通会员
  • 企业名:深圳市台源电子有限公司

    类型:生产加工

    电话: 0755-33375876

    联系人:项希德

    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路佳和大厦A座1410-1411室

商品信息

品牌/商标 国产 型号/规格 HER101 HER104 HER107 HER108
产品类型 快恢复二*管 结构 外延型
材料 硅(Si) 封装形式 直插型
封装材料 树脂封装 功率特性 *率
频率特性 中频 正向直流电流IF 1(A)
*高反向电压 50-1000(V)

*生产二、三*管贴片插件类电子元器件,公司成立至今己有十余年,有自主品牌;产品质量*、价格*,己有固定的客户群(如:美的、海尔电器等),TDD是台源在2007年3月份注册的商标。

该产品适用于开关电源、充电器、逆变器、数码产品、收录机、玩具礼品、机顶盒、导航系统、照明工业、家用电器。

一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳*和阴*两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成*的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二*管*的单向导电性,其伏安特性和电路*号如图2所示。整流二*管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二*管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二*管*高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二*管主要用于各种低频整流电路。

工作电流有1A,电压有50V-1000V。其型号有HER101 HER104 HER107 HER108封装有DO-41每盒1K包装量

联系方式

企业名:深圳市台源电子有限公司

类型:生产加工

电话: 0755-33375876

联系人:项希德

地址:广东深圳深圳市福田区深南中路佳和大厦A座1410-1411室

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