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代理民展CR6235S/CR6236/CR6238T原边内置MOS管,一力微热销中.

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  • 企业名:芯达世纪电子技术(深圳)有限公司

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商品信息

                                                       一力微电子热销产品
PWM控制IC+内置MOS管电源IC:CR6229T.全新原装现货.由深圳市一力微供应:
一、CR6221---PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做5W (建议输出电流1.1A内)
二、CR6224--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做12W内(建议输出电流2.1A内)
三、CR6228--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做16W内(建议输出电流2.5A内)
四、CR6229--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做18W内(建议输出电流3A内)
CR622X系列:高集成、低成本,电流模式PWM功率转换芯片,内置650V高压MOSFET,有效简化系统设计,多重完善的保护功能更使您的设计稳定可靠。采用频率抖动技术有效降低系统EMI;根据负载变化,智能进入PFM/BustMode模工,降低系统功耗,实现绿色节能。齐全的产品规格,可满足您0-28W不同的功率要求。(注0-28W属开放式单电压电流!)
CR623X系列:具有高集成、低成本,电流模式PWM功率转化芯片,基于原边检测和调整的控制器,就用时无需TL431和光耦,有效降低系统整机成本,芯片内置了恒流/恒压两种控制方式。采用反激式电路结构,输出和输入高压使用变压器隔离,外围原件少,转换效率高,成本低性价比良好,采用,Power-Rail  PSR方案能轻松实现全电压输入范围,该产品线包含控制器和开关器两种系列满足不同客户需求。
CR68XX系列为副边反馈PWM控制反激式交流转直流电源IC,适用于高性能,低待机功耗<0.1W,低成本的离线式反激开关电源中,具有优化的图腾驱动电路以及电流模式PWM控制器.PWM控制器包含50HZ固定的频率振荡发生器以及各种保护.由振荡电路产生的频率抖动,可有效改善EMI特性.高度集成,使用外围元件较少.简化反激式隔离AC/DC开关电源设计,从而使设计者轻松的获得可靠的系统.该产品线包含控制器和开关器两种系列可满足您1W-120W不同功率要求。
序号 民展系列产品 可替代型号 控制模式 功能 可做功率 封装
1 CR6221T   副边反馈 内置1A/650V高压MOS管 5W DIP-8
2 CR6224T/S OB2353/4 副边反馈 内置2A/650V高压MOS管 12W DIP-8/SOP8
4 PR8224 CR6224T 副边反馈 低待机功耗<50MW 12W DIP8
5 CR6228T OB2358 副边反馈 内置3A/650V高压MOS管 16W DIP-8
6 CR6229T   副边反馈 开放式单电压24W,全电压18W, 24W DIP-8
内置4A/650V高压MOS管, 18W DIP-8
7 CR6232 CL1100芯联/OB2532 原边反馈 外置MOS管 18W SOT23-6
8 CR6234 OB2534 原边反馈 外置MOS管 6W SOT23-6
9 CR6235S OB2535 原边反馈 内置高压MOS管可节省光藕/TL431 5W SOP-8
10 CR6236T   原边反馈 内置高压MOS管可节省光藕/TL431 7W DIP-8
11 CR6238T OB2538 原边反馈 内置高压MOS管可节省光藕/TL431 12W DIP8
12 CR6850C OB2262 副边反馈 LD7550 <60W SOT-23-6
DIP8
13 PR9853 OB2263 副边反馈 LD7535 <60W DIP-8
SOT-23-6
14 PR6863 OB2273 低待机功耗<0.1W 外置MOS管 <60W SOT-23-6
15 CR6311 OB2361 准谐振IC QR <60W SOT-23-6
16 PR8275 LD7575 大功率高压驱动 LD7575/LD7576 <120W SOP8
17 PR8278   大功率高压驱动 低待机功耗<0.5W <120W SOP8
18 PR8612A VIPER12A   内置高压MOS管 12W DIP8
公司始终坚持“品质、信誉"的宗旨,保证为客户提供原厂原包装的产品。

 

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