FAIRCHILD/*童
HGTG30N60A4D
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
原厂规格(V)
原厂规格(V)
原厂规格(μS)
原厂规格(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电*—发射**大电压 VCEO: 600 V
集电*—射*饱和电压: 1.8 V
栅*/发射**大电压: /- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 75 A
栅*—射*漏泄电流: /- 250 nA
功率耗散: 463 W
*大工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
*件号别名: HGTG30N60A4D_NL
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司