供应SKM300GAR123D西门康模块/西门康IGBT

IGBT保护方法
当过流情况出现时，IGBT必须维持在短路安全工作区（SCSOA）内。IGBT承受短路的时间与电源电压、栅极驱动电压以及结温有密切关系。为了防止由于短路故障造成IGBT损坏，必须有完善的故障检测与保护环节。一般的检测方法分为电流传感器和IGBT欠饱和式保护。
1）封锁驱动信号
在逆变电源的负载过大或输出短路的情况下，通过逆变桥输入直流母线上的电流传感器进行检测。当检测电流值超过设定的阈值时，保护动作封锁所有桥臂的驱动信号。这种保护方法直接，但吸收电路和箝位电路必须经特别设计，使其适用于短路情况。这种方法的缺点是会造成IGBT关断时承受应力过大，特别是在关断感性超大电流时，必须注意擎住效应。
2）减小栅压
IGBT的短路电流和栅压有密切关系，栅压越高，短路时电流就越大。在短路或瞬态过流情况下若能在瞬间将v_GS分步减少或斜坡减少，这样短路电流便会减小下来，当IGBT关断时，di/dt也减小。集成驱动电路如EXB841或M579xx系列都有检测v_CES电路，当发现欠饱和时，栅压箝位到10V左右，增大v_CES，限制过电流幅值，延长允许过流时间。短路允许时间t_sc和短路电流Isc同栅极电压vG的关系如图所示。

相似型号：

SKM200GAR173D 200A/1700V/2U    
SKM75GAR173D 75A/1200V/2U    
SKM100GAR173D 100A/1200V/2U    
SKM145GAR123D 145A/1200V/2U    
SKM150GAR123D 150A/1200V/2U    
SKM200GAR123D 200A/1200V/2U    
SKM300GAR123D 300A/1200V/2U    
SKM400GAR124D 400A/1200V/2U    
SKM100GAL123D 100A/1200V/2U    
SKM145GB063DN     
SKM195GB063DN     
SKMK195GAL063DN   

 

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