英飞凌igbt模块BSM200GA120DN

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商品信息

BSM200GA120DN2 参数

制造商Infineon

产品种类IGBT 模块

RoHS是

产品IGBT Silicon Modules

配置Single

集电*—发射**大电压 VCEO1200 V

集电*—射*饱和电压2.5 V

Continuous Collector Current at 25 C300 A

栅*—射*漏泄电流200 nA

功率耗散1550 W

*大工作温度+ 150 C

封装 / 箱体62MM

栅*/发射**大电压+/- 20 V

*小工作温度- 40 C

安装风格Screw

联系方式

企业名：北京京丰实创科技有限公司

类型：经销商

电话： 010-59264989

手机：15718881605

联系人：朱

QQ：

邮箱：2500466708@qq.com

地址：北京北京市北京市朝阳区

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