供应富士模块6MBI75L-060

工作频率


开关频率是用户选择适合的IGBT时需考虑的一个重要的参数，所有的硅片制造商都为不同的开关频率专门制造了不同的产品。

特别是在电流流通并主要与VCE(sat)相关时，把导通损耗定义成功率损耗是可行的。

这三者之间的表达式：Pcond = VCE IC ，其中， 是负载系数。
开关损耗与IGBT的换向有关系；但是，主要与工作时的总能量消耗Ets相关，并与终端设备的频率的关系更加紧密。

Psw = Ets
总损耗是两部分损耗之和：
Ptot = Pcond + Psw
在这一点上，总功耗显然与Ets 和 VCE(sat)两个主要参数有内在的联系。

这些变量之间适度的平衡关系，与IGBT技术密切相关，并为客户限度降低终端设备的综合散热提供了选择的机会。

因此，为限度地降低功耗，根据终端设备的频率，以及与特殊应用有内在联系的电平特性，用户应选择不同的器件

相似型号：

型号 ( 6U  600V ) 技术指标 型号 (6U   600V) 技术指标
6MBI10L-060 10A/600V/6U 6MBI60FA-060 60A/600V/6U
6MBI15L-060 15A/600V/6U 6MBI75L-060 75A/600V/6U
6MBI10F-060 10A/600V/6U 6MBI10N-060 10A/600V/6U
6MBI15F-060 15A/600V/6U 6MBI75F-060 75A/600V/6U
6MBI15N-060 15A/600V/6U 6MBI75N-060 75A/600V/6U
6MBI15LS-060 15A/600V/6U 6MBI75FA-060 75A/600V/6U
6MBI20L-060 20A/600V/6U 6MBI100L-060 100A/600V/6U
6MBI30L-060 30A/600V/6U 6MBI100FA-060 100A/600V/6U<, /SPAN>

 

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