热卖英飞凌模块FF300R12KT3

型号/规格：
FF300R12KT3
品牌/商标：
INFINEON（英飞凌）

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产品分类

可控硅IGBT(20)
∟ 可控硅(晶闸管)模块(20)

新品上架

商品信息 更新时间：2014-10-25

FF300R12KT3 参数

制造商Infineon

产品种类IGBT 模块

RoHS否

产品IGBT Silicon Modules

配置Dual

集电极—发射极电压 VCEO1200 V

Continuous Collector Current at 25 C480 A

工作温度+ 125 C

封装 / 箱体62MM

栅极/发射极电压+/- 20 V

工作温度- 40 C

安装风格Screw

型号（2单元）IGBT 技术指标
FF150R12KE3G 150A/1200V/2U
FF200R12KE3 200A/1200V/2U
FF300R12KE3 300A/1200V/2U
FF400R12KE3 400A/1200V/2U
FF400R16KF4 400A/1600V/2U

根据工作频率选择合适的IGBT:

开关频率是用户选择适合的IGBT时需考虑的一个重要的参数，所有的硅片制造商都为不同的开关频率专门制造了不同的产品。
特别是在电流流通并主要与VCE(sat)相关时，把导通损耗定义成功率损耗是可行的。

这三者之间的表达式：Pcond = VCE IC ，其中，是负载系数。
开关损耗与IGBT的换向有关系；但是，主要与工作时的总能量消耗Ets相关，并与终端设备的频率的关系更加紧密。
Psw = Ets
总损耗是两部分损耗之和：
Ptot = Pcond + Psw
在这一点上，总功耗显然与Ets 和 VCE(sat)两个主要参数有内在的联系。
这些变量之间适度的平衡关系，与IGBT技术密切相关，并为客户限度降低终端设备的综合散热提供了选择的机会。
因此，为限度地降低功耗，根据终端设备的频率，以及与特殊应用有内在联系的电平特性，用户应选择不同的器件。

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