QM100TX-H(HB) 100A/600V/6U
三菱
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∟ 可控硅(晶闸管)模块(20)
供应三菱模块QM100TX-H(HB)
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图相似型号:
QM20TD-H(HB)(9)(9B) 20A/600V/6U QM100TF-H(HB) 100A/600V/6U
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