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三菱模块QM100TX-H(HB)

供应三菱模块QM100TX-H(HB)
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  • 型号/规格:

    QM100TX-H(HB) 100A/600V/6U

  • 品牌/商标:

    三菱

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商品信息 更新时间:2013-02-19

供应三菱模块QM100TX-H(HB) 

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图

相似型号:

QM20TD-H(HB)(9)(9B) 20A/600V/6U   QM100TF-H(HB) 100A/600V/6U 
QM20TB-H 20A/600V/6U  QM50TX-H(HB) 50A/600V/6U 
QM30TB-9 30A/600V/6U  QM75TX-H(HB) 75A/600V/6U 
QM30TF-H(HB) 30A/600V/6U  QM100TX-H(HB) 100A/600V/6U 
QM30TB1-H 30A/600V/6U  QM100TX1-HB 100A/600V/6U

 

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