MOS管三*管场效应 IRG4RC10S IRG4RC10SD IRG4RC10

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRG4RC10S
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
开启电压：
*（V）
夹断电压：
*（V）
跨导：
*（μS）
*间电容：
*（pF）
低频噪声系数：
*（dB）
漏*电流：
*（mA）

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管深圳市广鑫世纪电子有限公司

类型：经销商

电话：

手机：18922867849

联系人：韦蘅珍

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区公司地址：深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址：深圳市高科德电子市场12873室

产品分类

场效应管MOSFET(106)
∟ 结型场效应管(92)

新品上架

商品信息

数据列表 IRG4RC10SDPbF

产品相片 TO-252-2

标准包装 2,000
类别分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -

电压 - 集电*发射*击穿（*大） 600V

Vge, Ic时的*大Vce（开） 1.8V @ 15V, 8A

电流 - 集电* (Ic)（*大） 14A

功率 - *大 38W

输入类型标准型

安装类型表面贴装

封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线接片), SC-63

供应商设备封装 D-Pak

包装带卷 (TR)

其它名称 IRG4RC10SDTRPBF-ND
IRG4RC10SDTRPBFTR