陶瓷基片，又称陶瓷基板，是以电子陶瓷为基底，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。

　　按照陶瓷基片应用领域的不同，又分为HIC（混合集成电路）陶瓷基片、聚焦电位器陶瓷基片、激光加热定影陶瓷基片、片式电阻基片、网络电阻基片等；按加工方式的不同，陶瓷基片分为模压片、激光划线片两大类。

模压片

主要特点

　　陶瓷基片具有*、电*缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点，但陶瓷基片较脆，制成的基片面积较小，成本高。

发展方向

　　随着微电子技术的进步，微加工工艺的特征线宽已达亚*，一块基板上可以集成106～109个以上元件，电路工作的速度越来越快、频率越来越高，这对基板材料的性能提出了更高的要求。作为混合集成电路（HIC）和多芯片组件（MCM）的关键材料之一，基板占其总成本的60%左右。陶瓷基板发展的总方向是低介电常数、高热导率和*化。

　　目前，实际生产和开发应用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫来石和玻璃陶瓷等。其中，BeO和SiC热导率很高（&sup3;250W/m.K），但BeO因具有毒性，应用范围小，故产量低；SiC因体积电阻较小（<1013W·cm）、介电常数较大（40）、介电损耗较高（50），不利于信号的传输，且成型工艺复杂、设备昂贵，故应用范围也很小；AlN陶瓷基片是新一代*陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，但由于成本居高，一直没能大规模应用；Al2O3陶瓷基片虽然热导率不高（20W/m.K），但因其生产工艺相对简单，成本较低，价格便宜，成为目前*广泛应用的陶瓷基片。

氧化铝陶瓷基片,是一种*导热，*耐压的导热*缘材料。导热系数25W/m.K，耐压12000V左右。是大功率导热设备的*先。

主要用于大功大功率设备中的IC、MOS管、IGBT贴片式导热*缘作用。高频电源IC、通讯、机械设备等用于强电流、强电压、*温时需要导热*缘的部位。有更好的功能辅助作用。让设备更好的发挥性能。

物理性能用于*导热、高*电压*缘体、*、*损、*度。

可订做*大规格尺寸  180*200MM左右，厚度0.5-10MM  ; 氧化铝材质:96%\\99%;

特点:

1、热阻0.3度-IN平方/W(@50PSI)

2、导热系数25W/m.K*导热以及*缘耐压12KV的**缘性能

3、*度氧化铝陶瓷基片

4、性能稳定*因散热不良，而造成IC老化等问题

常用规格：T0-220、T0-247、T0-264等

常规尺寸(单位MM)：20*26*1、20*26*1有孔、22*28*1有孔、24*18.5*0.63有孔、26*48*0.63、21*37*0.63、38.7*24.1*0.63、98*21*0.63、115*115*0.63、138*188*0.63等。可根据客户图纸要求加工。

96%氧化铝陶瓷基片，应用于电子元器件的封装，电镀，导热*缘，耐强压强电流等产品中。

线路板用陶瓷基片,采用优质96-99%氧化铝陶瓷材料，*度、*、耐腐蚀、*氧化、高寿命等特点。

LED灯类的陶瓷基片，可以代加陶瓷表面金属电阻位。欢迎来人来电咨询与恰谈，并提供样品。

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