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射频功率晶体管

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  • 型号/规格:

    NPT1004

  • 品牌/商标:

    Nitronex

NPTB00004 应用:通用,宽带驱动电路,军事,低噪音放大器。 NPTB00025 应用:一般应用,军事通信,商用无线应用。 NPT1004 应用:通用,宽带驱动电路,军事。 NPT1007 应用:一般应用,军事通信,L波段雷达,航空用...

  • 型号/规格:

    BLF6G27LS-75

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT502

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    MAPR-000912-500S00

  • 品牌/商标:

    M/A-COM

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 品牌:

    NXP

  • 引脚数:

    6引脚

  • 发射电压:

    60 V

  • 射频晶体管封装:

    SOT-457

  • VCEO::

    35V

  • VEBO:

    4V

  • Pd-功率耗散:

    70W

  • 工作频率:

    30 MHz

  • 型号/规格:

    NPT1007

  • 品牌/商标:

    Nitronex

Nitronex公司是一个创新的领导者,在设计和制造的镓 氮化镓(GaN)为基础的RF解决方案。Nitronex公司的先驱,在发展高性能氮化镓上硅(硅上GaN)半导体解决方案,使用其专有的SIGANTIC?的制造工艺。Nitronex公司产品...

  • 封装形式:

    SOT223

  • 型号/规格:

    THN5601B-11

  • 品牌/商标:

    AUK

  • 材料:

    硅(Si)

  • 应用范围:

    放大

    品牌:国产 型号:3DA22B 封装形式:功率型 封装材料:金属封装 结构:外延型 应用范围:放大3DA22A、3DA22B 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率三极管。等级标记:Ⅱ类主要用途:用于超高频功率放大、振荡及其...

    • 产品性质:

      热销

    • 封装形式:

      贴片型

    • 处理信号:

      数字信号

    • 型号/规格:

      THN5601B

    • 材料:

      锗(Ge)

    • 品牌/商标:

      TACH

    • 封装:

      SOT223

    • 应用范围:

      功率

      品牌:国产 型号:3DA56B 类别:直插 封装形式:H-2 应用范围:功率主要用于脉冲电路,无触点开关等厂价销售,全新原装,现货供应可提供民、工、军品等可以提供不同产品控制极触发电流IGT可以提供供不同放大倍数

        品牌:M/A-COM 型号:MRF166W 批号:1007+ 封装:TO-62 营销方式:现货 产品性质:新品 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双极型 集成程度:超大规模 规格尺寸:0.12*0.45(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态...

          品牌:M/A-COM 型号:MRF21120 批号:09+ 封装:金属 营销方式:库存 产品性质:热销 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 集成程度:中规模 工作温度:-40~85(℃)美国M/A-COM公司是最大的微波器件专业生产厂商之一,其...

          • 是否提供加工定制:

          • 品牌/商标:

            Mitsubishi/三菱

          • 型号/规格:

            2SC1970

          • 应用范围:

            功率

          • 材料:

            硅(Si)

          • 极性:

            NPN型

          • 击穿电压VCBO:

            -(V)

          • 集电极最大允许电流ICM:

            -(A)

          射频功率晶体管行业资讯

          • 恩智浦1500 kW射频功率晶体管树立新标杆

            恩智浦半导体日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管,与采用任何技术或在任何频率下的产品相比,都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1.50 kW CW功率,能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量,从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MRF1K50H可在最高500 MHz频率下工作,适用于广泛的应用...

          • ST推出新系列射频功率晶体管

            近日消息,据外媒报道,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出新系列射频(RF)功率晶体管。新系列产品采用先进技术,为政府通信、用于紧急救援的专用移动无线电系统以及L波段卫星上行设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的性能、稳健性及可靠性。   意法半导体RF产品市场...

          • 恩智浦正式发布超高频(UHF)射频功率晶体管

            恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管,支持470 - 860MHz完整超高频带DVB-T信号,平均输出功率120W,效率可达31%以上。21dB高增益、出色的线性度...

          射频功率晶体管技术资料

          • 英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管

            导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件,降低系统成本,提高可靠性。   英飞凌新型功率晶体管PTVA127002EV非常适用于空中交通管制应...

          • 飞思卡尔推出AFT27S0系列两款全新射频功率晶体管

            导读:日前,飞思卡尔半导体发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管,此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时,还能应对降低成本的持续压力,完美的成为Airfast射频功率解决方案。   大功率射频(RF)晶体管的全球领导者飞思卡尔半导体日前发布...

          • 验证射频功率晶体管的耐用性

            目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比(VSWR)的负载失配。但这些晶体管真...

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