放大
*
108—046F
硅(Si)
功率型
200
25
NPN型
电话:86 0755 28454242
继流二*管
FRE*CALE/飞思卡尔
MRFE6S9060N
.
.
.
贴片型
.
电话:86 0755 82518126
1
40-125(℃)
1
11
硅(SI),硅(SI),硅(SI)
是
1
BLT81
电话:86 0755 61329386
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
达林顿
TO-*
FQA160N08
P-DIT/塑料双列直插
FAIRCHILD/*童
SW-REG/开关电源
手机:
是
FUIL
2SC2429
功率
1(V)
1(A)
1(W)
1(MHz)
手机:
是
美国NS国半
LM1875T
高反压
硅(Si)
NPN型
平面型
直插型
手机:
是
*/如图所示
2SA1941 A1941 音响功放管 PNP
功率
其他
N/P型
请咨询(V)
请咨询(A)
手机:
DSEI60-12A
IXYS/艾赛斯
快恢复二*管
是
电话:0755-83035360
其他
2SC3907 C3907 音响功放管 NPN
品牌/商标 其他 型号/规格 2SC3907 C3907 音响功放管 NPN 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) *间...
电话:0755-83238897
Mitsubishi/三菱
RD70HVF1-101
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
电话:0755-26016143
手机:18926569176
电话:0755-61333723
电话:755-61177506
品牌:AIKASKY 型号:AK-J1 功放类型:HIFI功放 是否舞台:hifi 电源电压:220V&plu*n;5%(V) 电源频率:50(Hz) 功率:10W×2(W) 信噪比:88(dB) 总失真率:<2%(%) 阻*:0-4Ω- 8...
电话:0755-88821559
继流二*管
FRE*CALE/飞思卡尔
MRFE6S9060N
.
.
贴片型
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电话:0755-61329739
电话:0755-61685458
P-DIT/塑料双列直插
MJ15003
M*金属半导体
SW-REG/开关电源
Toshiba/东芝
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
手机:
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SA1943,2SC5200 应用范围 达林顿 功率特性 大功率 频率特性 高频 *性 NPN型 结构 合金型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
电话:755-36853255
重量:5(kg) 频响范围:200K(Hz) 信噪比:60(dB) 电源电压:5.1(V) 外形尺寸:ZIP-15(mm) 产地:摩洛哥 功率:30(W) 型号:L4910A 品牌:ST 电源频率:直流(Hz)◆温馨提示:由于元器件价格波动频繁,在拍前请先...
电话:755-83688995
品牌:ST 型号:TIP35C,TIP36C 封装形式:直插型 装配方式:通孔插装 封装材料:金属封装 结构:点接触型 材料:硅 *性:PNP型 营销方式:现货 应用范围:放大亿隆半导体有限公司是一家的电子元件供应商,专向生产开关电源,UP...
电话:755-82539765
品牌:Toshiba东芝 型号:2SA1941-O(Q) 批号:2010+ 封装:TO-*(L) 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模部件型号2SA1941 *性PNP 互补产品2SC5198 集电*-发射*电压VCEO-140 V 集电*电流(DC) IC...
电话:0755-81780090
晶体管的击穿现象:从晶体管的输出特性曲线可知,对于某一条输出特性曲线,当c-e之间电压增大到一定数值时,晶体管将产生击穿。一次击穿:而且IB愈大,击穿电压愈低,称这种击穿为“一次击穿”。二次击穿:晶体管一次击穿后,集电极电流会聚然增大,若不加以限制
低频功率输出级按功放管的工作状态为甲类、乙类、丙类三种。它们各有特点:(1).甲类功率输出级主要优点是失真小,主要缺点是效率低。它的输出功率Po,电源功耗PD,集电极功耗Pcmax和效率分别为:Po=Ec2/2RLPD=2Ec2/RLPcmax