由双向晶闸管的内部结构(见图8—17)可知,G极与Ti极靠近,距T2极较远, G极与极间的正、反向电阻都很小,因此用万用表的Rx100挡分别测量晶闸管的任意两引出脚180Ω。剩余的一脚为T2极。 向电阻,用黑表笔接T1极,红表笔接G极所测的正向电阻总是要比反向...
在许多方面,晶闸管的结构与晶体管相似。它是一种多层半导体器件,因此其名称中包含“硅”部分。它需要一个栅极信号将其打开“ON”(名称中的“受控”部分),一旦“ON”,它的行为就像一个整流二极管(名称中的“整流器”部分)。事实上,晶闸管的电路符号表...
晶闸管是一种具有S形电流-电压特性的半导体器件。它们是一种带有状态存储器的托管按键,当控制信号施加到晶闸管的输入时,它们就会打开。当使用直流电时,可以通过去掉电源电压来关断晶闸管。晶闸管的一个重大且不可避免的缺点是它们具有低输入阻抗,最重要的...