Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性...
时间：2024/3/21 阅读：52 关键词：电子
X-FAB与莱布尼茨IHP研究所达成许可协议 推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布，将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台，进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所（IHP）的长期合作关系。作为新协议的一...
时间：2022/10/10 阅读：104 关键词：电子
英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUALCoolSiCMOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
近日，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）将EasyDUAL?CoolSiC?MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN）陶瓷。该器件采用半桥配置，EasyDUAL1B封装的导通电阻（RDS（on...
分类：新品快报 时间：2021/8/9 阅读：3551
恩智浦将推出50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）近日宣布推出一系列采用SiGe（硅锗）工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品，旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe
Maxim推出业界增益、噪声系数的SiGe BiCMOS LNA
Maxim针对GPS、伽利略以及GLONASS应用推出MAX2659高增益、低噪声放大器(LNA)。该器件采用Maxim先进的、低功耗SiGeBiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数，同时分别将输入参考1dB压缩
分类：新品快报 时间：2007/11/30 阅读：408 关键词：Maxim
美国模拟器件公司(AnalogDevices,Inc.)日前发布10款新的运算放大器扩展其产品种类，它们扩展了5V～16V(±8V)宽的工作电压范围，能满足工业和仪器仪表应用的多种性能和成本要求。日前推出的是业界的AD8661双运放和四运放版本
捷智BiCMOS工艺助力，广晟开发出WCDMA射频收发芯片组
广晟微电子有限公司日前宣布，该公司采用捷智半导体公司0.18μm锗硅BiCMOS工艺成功开发出可供商用的3GWCDMA无线手机射频收发芯片组。广晟微电子的WCDMA射频收发芯片组包括零中频接收芯片RS1007W和发射芯片RS1007RF,广晟微电子
分类：业界要闻 时间：2006/6/2 阅读：423 关键词：WCDMA
美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高及低电压放大器
采用模拟VIP50工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率二零零五年九月二十七日--中国讯--美国国家半导体公司(NationalSemiconductorCorporation)(美国纽约证券交易所上市代号
分类：新品快报 时间：2005/9/28 阅读：1527 关键词：高精度
飞利浦电子公司(RoyalPhilipsElectronics)日前推出采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，号称业界最小的BiCMOS逻辑器件。这种器件适合于空间受限而对性能有所要求的应用，如组网和电信设备、机顶盒解决方案及其他许多计算应用
分类：新品快报 时间：2004/12/18 阅读：1338 关键词：飞利浦
皇家飞利浦电子公司（Philips）日前采用微缩超薄四方扁平无引脚（DQFN）封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％，强健的发展蓝图不断推动
分类：新品快报 时间：2004/12/16 阅读：1267 关键词：Philips
BiCMOS 逻辑系列 BiCMOS 逻辑系列将双极器件和 CMOS 器件集成在单个芯片上，结合了两个系列的优点。双极逻辑系列具有更高的开关速度和更高的输出驱动电流容量。CMOS 系...
设计应用 时间：2024/4/16 阅读：637
传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主...
基础电子 时间：2019/12/6 阅读：501
它具有ARM处理器的所有优点——低功耗、高性能和较为丰富的片上资源，但LPC2131内部没有集成CAN控制器，而无法利用CAN总线来进行通信。为了使得LPC2131能够利用CAN总线进行通信，可以通过外部扩展来实现其功能。目前，比较普通的方法是在...
设计应用 时间：2018/8/4 阅读：551
0 引言 随着数字技术、微机和模数转换技术的研究与进展，作为模拟和数字信号接口电路的模数转换器(ADC)得到了广泛应用。由于ADc中的重要组成单元——采样／保持(S／H)...
设计应用 时间：2010/6/7 阅读：3979
0 引言 随着无线通信事业的飞速发展，产生了多种通信技术标准，诸如Bluetooth，GSM，WiFi，ZigBee等，通信频率也从数百兆赫到数千兆赫不等。从应用成本和性能角度来看...
基础电子 时间：2010/6/4 阅读：2759
Maxim推出宽带、多制式硅调谐器MAX3543，支持全球范围的混合型电视以及陆地、有线机顶盒设计。器件采用Maxim的高性能BiCMOS工艺，具有业内最佳的调谐性能，标准IF架构确保杂散信号小于-70dBc。借助MAX3543，用户能够利用单一硅
新品速递 时间：2010/4/21 阅读：3334
在1.3～1.55 gm波长光纤通信窗口，广泛使用的是III-V族InGaAs、InGaAsP探测器。这些III-V族探测器性能优异，工作速率可达20Gb/s乃至达到40Gb/s，有很好的响应度和量子效率。然而，由于工艺结构复杂使得这样的探测器价格昂贵限制了其广泛...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：2722
由于CMOS工艺通常只提供单电压工作，不允许探测器电压高于电路工作电压，而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作，这就减小了探测器耗尽区宽度，影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的 影响。在BiCMOS工艺中利用...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：2037
美国模拟器件公司（ADI）前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。此前，生产可承受30V高压的模拟IC芯片，需...
新品速递 时间：2007/12/15 阅读：1774
美国模拟器件公司(AnalogDevices,Inc.)日前发布10款新的运算放大器扩展其产品种类，它们扩展了5V～16V(±8V)宽的工作电压范围，能满足工业和仪器仪表应用的多种性能和成本要求。日前推出的是业界领先的AD8661双运放和四运放版本
新品速递 时间：2007/12/13 阅读：1745
