BiCMOS 逻辑系列 BiCMOS 逻辑系列将双极器件和 CMOS 器件集成在单个芯片上，结合了两个系列的优点。双极逻辑系列具有更高的开关速度和更高的输出驱动电流容量。CMOS 系...
设计应用 时间：2024/4/16 阅读：660
传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主...
基础电子 时间：2019/12/6 阅读：504
它具有ARM处理器的所有优点——低功耗、高性能和较为丰富的片上资源，但LPC2131内部没有集成CAN控制器，而无法利用CAN总线来进行通信。为了使得LPC2131能够利用CAN总线进行通信，可以通过外部扩展来实现其功能。目前，比较普通的方法是在...
设计应用 时间：2018/8/4 阅读：553
0 引言 随着数字技术、微机和模数转换技术的研究与进展，作为模拟和数字信号接口电路的模数转换器(ADC)得到了广泛应用。由于ADc中的重要组成单元——采样／保持(S／H)...
设计应用 时间：2010/6/7 阅读：3989
0 引言 随着无线通信事业的飞速发展，产生了多种通信技术标准，诸如Bluetooth，GSM，WiFi，ZigBee等，通信频率也从数百兆赫到数千兆赫不等。从应用成本和性能角度来看...
基础电子 时间：2010/6/4 阅读：2759
Maxim推出宽带、多制式硅调谐器MAX3543，支持全球范围的混合型电视以及陆地、有线机顶盒设计。器件采用Maxim的高性能BiCMOS工艺，具有业内最佳的调谐性能，标准IF架构确保杂散信号小于-70dBc。借助MAX3543，用户能够利用单一硅
新品速递 时间：2010/4/21 阅读：3339
在1.3～1.55 gm波长光纤通信窗口，广泛使用的是III-V族InGaAs、InGaAsP探测器。这些III-V族探测器性能优异，工作速率可达20Gb/s乃至达到40Gb/s，有很好的响应度和量子效率。然而，由于工艺结构复杂使得这样的探测器价格昂贵限制了其广泛...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：2728
由于CMOS工艺通常只提供单电压工作，不允许探测器电压高于电路工作电压，而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作，这就减小了探测器耗尽区宽度，影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的 影响。在BiCMOS工艺中利用...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：2039
美国模拟器件公司（ADI）前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。此前，生产可承受30V高压的模拟IC芯片，需...
新品速递 时间：2007/12/15 阅读：1780
美国模拟器件公司(AnalogDevices,Inc.)日前发布10款新的运算放大器扩展其产品种类，它们扩展了5V～16V(±8V)宽的工作电压范围，能满足工业和仪器仪表应用的多种性能和成本要求。日前推出的是业界领先的AD8661双运放和四运放版本
新品速递 时间：2007/12/13 阅读：1749
