在数字通信与存储硬件研发的赛道里，除了大家耳熟能详的头部半导体大厂，还有不少深耕细分领域、专注专用方案的小众原厂，AHA（Advanced Hardware Architectures）便是其中...
分类：名企新闻 时间：2026/10/20 阅读：3648
Incorporated今日宣布，已收购VORAGO Technologies, Inc.。VORAGO Technologies, Inc.是一家位于德克萨斯州奥斯汀的私营企业，主要提供抗辐射加固和抗辐射微控制器（MCU）...
分类：名企新闻 时间：2026/10/10 阅读：11359 关键词：Microchip
Nuvoton-新唐科技推出NuMicro M3351系列：5V高抗干扰控制平台，赋能机器人与工业自动化应用
在工业自动化、智能家电、电源控制等应用领域，许多控制接口仍以5V环境为主，且系统往往需要在高噪声和复杂电磁环境下长期稳定运行。全球领先的半导体供应商新唐科技股份有限公司宣布推出NuMicro M3351系列32位元微控制器，采用Arm Corte...
时间：2026/10/10 阅读：102 关键词：Nuvoton
Mouser-贸泽开售Microchip新款高速、高分辨率dsPIC33AK256MPS306 32位DSC，为AI、工业、汽车和数据中心应用提供支持
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售Microchip Technology新款dsPIC33AK256MPS306 200MHz 32位数字信号控制器(DSC)。dsPIC33AK256MPS306 DSC集高分辨率控制、高速模拟和安...
时间：2026/10/10 阅读：99 关键词：Mouser
Mouser-贸泽开售STMicroelectronics ST25R210通用型NFC读卡器,助力成本敏感型NFC应用实现高性能表现
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售STMicroelectronics的ST25R210通用型NFC读卡器。ST25R210 NFC读卡器专为成本敏感型应用而设计，在提供1.6W输出功率的同时，还具备增强...
时间：2026/10/10 阅读：82 关键词：Mouser
Microchip推出全新10BASE-T1S器件，丰富了单对以太网产品，实现可扩展边缘连接
全新收发器及集成端点产品系列可简化分区架构，降低汽车和工业应用的系统复杂度 随着汽车、工业和机器人系统逐步向全以太网网络演进，设计人员对简化系统架构、降低布线复杂度以及高效集成边缘节点的需求持续提升。Microchip全新10BAS...
分类：新品快报 时间：2026/10/9 阅读：20213 关键词：Microchip
瑞萨推出超小尺寸多次可配置GreenPAK IC， 采用超紧凑型WLCSP及STQFN封装
瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出SLG46801，这是一款提供WLCSP及STQFN封装的GreenPAK可配置混合信号器件。该9焊球WLCSP封装尺寸仅为1.155mm × 1.155mm，将超小型封装与...
分类：新品快报 时间：2026/9/29 阅读：32916 关键词：瑞萨
Anthropic发布Claude Sonnet 5.5，速度提升三成、成本最高可省三成
Anthropic推出Claude Sonnet 5.5。这是继一周前旗舰Opus 5.5之后，Claude 5.5家族的第二款模型。从“Anthropic到OpenAI到谷歌”的迭代节拍看，9月底前沿大模型进入加速段。...
分类：新品快报 时间：2026/9/29 阅读：32668 关键词：Anthropic
荣耀召开新品发布会，推出Magic9标准版手机。当日，深天马发文确认该款手机OLED屏幕由其独家定制。 本次荣耀Magic9系列全系采用2.5D直屏设计，其中标准版搭载6.37英寸大...
分类：名企新闻 时间：2026/9/29 阅读：16653 关键词：深天马
Infineon-英飞凌EiceDRIVER 2EDL6014AC-G2D双通道栅极驱动器，支持AI数据中心电源设计实现高功率密度与出色的热性能
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出EiceDRIVER 2EDL6014AC-G2D，这款采用结隔离（junction-isolated）技术打造的120 V双通道浮地输出栅极驱动器，支持在AI数据中心应用场景中采用硅基功率器件实现高功率密度的...
时间：2026/9/29 阅读：227 关键词：Infineon
CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe，而NOMS要加入SiC？
在先进CMOS制程迭代过程中，当工艺节点迈入90nm及以下，单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭，短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升晶体管导通性能，业界...
基础电子 时间：2026/9/9 阅读：620
SiC 器件准静态 CV 测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷
电容电压（CV）测量作为半导体材料与器件工艺表征的关键手段，在 MOS 器件分析领域应用广泛。通过 CV 测试数据，能够提取诸如氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等众...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：171
在当今复杂且对精度要求极高的电子系统中，电源管理集成电路（PMIC）扮演着至关重要的角色。早期的 PMIC 主要功能是监控各电源轨电压，确保其维持在额定公差范围内，同时防...
设计应用 时间：2026/8/21 阅读：449
SiC 器件准静态 C-V 测量的新路径：用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷
在半导体材料和器件制造过程的分析中，电容 - 电压（C - V）测量是一种极为重要的手段，尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）方面发挥着关键作用。从 C - V 数据中，我...
设计应用 时间：2026/8/14 阅读：264
Pickering 推出 LXI 大电流开关系列，支持最高 80A、300V 信号
Pickering Interfaces 宣布推出 60-191 LXI 大电流与感测 SPST 开关系列。作为 Pickering 迄今为止电流容量最高的开关产品，该全新系列可切换最高 80A、300V 的信号，同时...
新品速递 时间：2026/8/7 阅读：447
深度解析：LED 照明领域无电感高压线性驱动 IC - WD10 - 3111
在 LED 照明技术不断发展的当下，如何实现高效、稳定且低成本的驱动方案成为了行业关注的焦点。高压线性 LED 驱动 IC 凭借其独特的优势，在 LED 照明领域得到了广泛应用。...
设计应用 时间：2026/8/7 阅读：483
常见总线：IIC、IIS、SPI、UART、JTAG、CAN、SDIO、GPIO
在电子系统中，总线是连接各个部件的重要桥梁，它负责在不同设备之间传输数据和控制信号。常见的总线类型有 IIC、IIS、SPI、UART、JTAG、CAN、SDIO、GPIO 等，它们各自具有独特的特点和应用场景。深入了解这些总线的工作原理和特性，对于...
基础电子 时间：2026/8/4 阅读：250
SiC 功率模块内置 NTC 温度传感器核心技术与工程应用详解
在新能源汽车电控、光伏逆变器、储能变流器等大功率电力电子系统蓬勃发展的当下，SiC 功率模块的结温监测成为了保障器件长期可靠运行、充分发挥碳化硅高频性能的核心环节。而内置在模块内部的 NTC 热敏电阻，作为目前应用最广泛的低成本...
设计应用 时间：2026/8/3 阅读：342
深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术
在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 ...
设计应用 时间：2026/7/28 阅读：274
IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同
双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标，而这些测试结果对于器件选型、驱动优化以及整机设计而...
全部 时间：2026/7/27 阅读：301
