泛林集团推出革命性的新刻蚀技术，推动下一代3D存储器件的制造
通过技术和EquipmentIntelligence（设备智能）的创新，Vantex?重新定义了高深宽比刻蚀，助力芯片制造商推进3DNAND和DRAM的技术路线图。 近日，泛林集团(Nasdaq:LRCX)发布...
分类：名企新闻 时间：2021/2/1 阅读：14589
泛林集团推出革命性的新刻蚀技术，推动下一代3D存储器件的制造
通过技术和EquipmenTIntelligence?（设备智能）的创新，Vantex?重新定义了高深宽比刻蚀，助力芯片制造商推进3DNAND和DRAM的技术路线图。 上海——今日，泛林集团（Nasdaq...
分类：新品快报 时间：2021/1/29 阅读：11619
近日，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心联合中国科学院苏州纳米技术研究所、吉林大学，提出了一种基于铝纳米晶浮栅的碳纳米管非易失性存储器，这为可穿戴电子及特殊环境检测系统提供了新的器件设计方法。...
分类：业界要闻 时间：2020/3/24 阅读：2186 关键词：存储器
对于目前的许多汽车买家来说，比起引擎以及其他机械组件，新车所搭载的技术正成为更重要的选购动机。 过去二十年来，我们看到从使用最少电子组件的车辆，逐渐转变为搭...
分类：业界要闻 时间：2017/6/5 阅读：276 关键词：存储器件
Microchip推出4 Mb和8 Mb 1.8V低功耗存储器，扩展Serial Quad I/O™ SuperFlash®系列存储器件
全球的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）发布SST26WF080B和SST26WF040B新器件，扩展其1.8VSerialQuadI/O?（SQI）S
分类：名企新闻 时间：2015/4/3 阅读：326 关键词：Microchip
在PC和平板处于市场滞胀期的时候，日本电脑厂商已经集体敲定决定，新产品开始涨价，同时这一情况将进一步扩到到数码相机市场，原因是日元贬值材料费用上涨，大容量存储器等...
分类：业界要闻 时间：2014/12/30 阅读：554 关键词：存储器
据市场调研公司Gartner的报告，由于DRAM市场仍然受渠道库存过多所累，且PC需求放缓，现货价格连续第12周下滑，1-GbDDR2目前报价是1.00美元。一年以前，1-GbDDR2的价格高于2.60美元，但从那时到现在已累计下跌了62%。与
分类：业界动态 时间：2008/11/18 阅读：873 关键词：存储器
据市场调研公司Gartner的报告，由于DRAM市场仍然受渠道库存过多所累，且PC需求放缓，现货价格连续第12周下滑，1-GbDDR2目前报价是1.00美元。一年以前，1-GbDDR2的价格高于2.60美元，但从那时到现在已累计下跌了62%。与
分类：业界动态 时间：2008/11/14 阅读：198 关键词：存储器
Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02
DallasSemiconductor推出新型存储器件DS28DG02，具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通常可节省20%的PCB空间和30%的成本。由于采用更少的元件，使得终端设备的制造厂商可以
分类：新品快报 时间：2007/5/30 阅读：639 关键词：Semiconductor存储器
TEXASINSTRUMENTS：TI推出采用双ARMCortex-R4处理核的车用MCU编辑推荐：德州仪器推出新款用于汽车安全应用方案的TMS570MCU。TMS570采用ARMCortexR4作为微控器内核，将两款同型号CortexR4处理器与
磁阻RAM（MRAM）器件的核心工作结构是磁隧道结（MTJ）。 位状态被存储为与隧道势垒直接接触的两个磁性层的相对磁化方向，其中反平行方向（高状态）具有比平行方向（低状...
设计应用 时间：2023/7/24 阅读：348
薄膜电池为工程师提供了一个独特的组件，可用于为电路设计设计电源。薄膜器件具有超级电容器和传统电池的许多优点，是半导体器件，可简化电路集成，同时提供高能量密度，放电速率和生命周期。工程师可以使用Cymbet和Infinite Power Solut...
设计应用 时间：2019/3/6 阅读：51
WEDC公司近日推出表面贴装数据存储器件NAND SSD产品线
WEDC公司近日推出表面贴装数据存储器件，设计专门应用于国防和航空中苛刻和嵌入式要求的环境中。该产品提供1、2和4GB容量密度，采用22mmx27mm塑料球栅阵列（PBGA）封装，支持各种PATA接口协议。该产品为嵌入式计算提供高度可靠的高密度数...
新品速递 时间：2009/6/16 阅读：2012
Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02
Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02，具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。 DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通常可节省20%的PCB空间和30%的成...
新品速递 时间：2007/11/28 阅读：1465
艾蒙公司(M-Systems)近日宣布即将推出DiskOnChipH1闪存磁盘，连同一系列专业嵌入式驱动程序，做为嵌入式应用的非易失性(NVM)内存解决方案。DiskOnChipH1适用于汽车音响与导航、高级打印机与掌上型游戏机、GPS与MP3播放
新品速递 时间：2007/10/24 阅读：1257
Dallas Semiconductor发布新型非易失存储器件DS28DG02
MaximIntegratedProducts的全资子公司DallasSemiconductor推出新型存储器件DS28DG02，具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通常可节省20%的PCB空间和3
新品速递 时间：2007/10/9 阅读：1458
Dallas Semiconductor推出新型非易失存储器件DS28DG02
MaximIntegratedProducts的全资子公司DallasSemiconductor推出新型存储器件DS28DG02，具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通常可节省20%的PCB空间和3
新品速递 时间：2007/10/8 阅读：1495
Parvus公司的全新四端口USB2.0主控制器USB104+，可以直接为相连的USB器件供电，传输速度比USB1.1的产品快40倍。其尺寸为3.55英寸×3.775英寸，采用标准PC/104-Plus封装，提供四个下传端口，其中两个端口提供500
设计应用 时间：2007/6/8 阅读：1379
摘要：磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电存储器的工作原理和特性，分析了它们的发展现状及存在的问题，并对其应用前景进...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1188
软误差是半导体器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如，如果为音频、视频或静止成像系统设计一个预压缩捕获缓...
新品速递 时间：2007/4/3 阅读：1395
