磁阻RAM(MRAM)器件的核心工作结构是磁隧道结(MTJ)。 位状态被存储为与隧道势垒直接接触的两个磁性层的相对磁化方向,其中反平行方向(高状态)具有比平行方向(低状...
设计应用 时间:2023/7/24 阅读:361
薄膜电池为工程师提供了一个独特的组件,可用于为电路设计设计电源。薄膜器件具有超级电容器和传统电池的许多优点,是半导体器件,可简化电路集成,同时提供高能量密度,放电速率和生命周期。工程师可以使用Cymbet和Infinite Power Solut...
设计应用 时间:2019/3/6 阅读:55
WEDC公司近日推出表面贴装数据存储器件NAND SSD产品线
WEDC公司近日推出表面贴装数据存储器件,设计专门应用于国防和航空中苛刻和嵌入式要求的环境中。该产品提供1、2和4GB容量密度,采用22mmx27mm塑料球栅阵列(PBGA)封装,支持各种PATA接口协议。该产品为嵌入式计算提供高度可靠的高密度数...
新品速递 时间:2009/6/16 阅读:2032
Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02
Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02,具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。 DS28DG02功能和容量具有很高的集成度,通常可节省20%的PCB空间和30%的成...
新品速递 时间:2007/11/28 阅读:1476
艾蒙公司(M-Systems)近日宣布即将推出DiskOnChipH1闪存磁盘,连同一系列专业嵌入式驱动程序,做为嵌入式应用的非易失性(NVM)内存解决方案。DiskOnChipH1适用于汽车音响与导航、高级打印机与掌上型游戏机、GPS与MP3播放
新品速递 时间:2007/10/24 阅读:1270
Dallas Semiconductor发布新型非易失存储器件DS28DG02
MaximIntegratedProducts的全资子公司DallasSemiconductor推出新型存储器件DS28DG02,具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。DS28DG02功能和容量具有很高的集成度,通常可节省20%的PCB空间和3
新品速递 时间:2007/10/9 阅读:1468
Dallas Semiconductor推出新型非易失存储器件DS28DG02
MaximIntegratedProducts的全资子公司DallasSemiconductor推出新型存储器件DS28DG02,具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。DS28DG02功能和容量具有很高的集成度,通常可节省20%的PCB空间和3
新品速递 时间:2007/10/8 阅读:1505
Parvus公司的全新四端口USB2.0主控制器USB104+,可以直接为相连的USB器件供电,传输速度比USB1.1的产品快40倍。其尺寸为3.55英寸×3.775英寸,采用标准PC/104-Plus封装,提供四个下传端口,其中两个端口提供500
设计应用 时间:2007/6/8 阅读:1400
摘要:磁电存储器不仅存取速度快、功耗小,而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身,因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电存储器的工作原理和特性,分析了它们的发展现状及存在的问题,并对其应用前景进...
新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1201
软误差是半导体器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的,包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如,如果为音频、视频或静止成像系统设计一个预压缩捕获缓...
新品速递 时间:2007/4/3 阅读:1408