SSM3K116TU
TOSHIBA（东芝）
SOT-323
无铅环保型
贴片式
3000/盘
SSM3K116TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,30V,2.2A,0.1Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 应用: * high Speed Switching Applications/高速开关应用 特点： * 2.5 V驱动器 * 低导通电阻: Ron = 135mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 100mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 产品型号:SSM3K116TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGSS(V):±12 漏极电流Id(A):2.2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.1 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):245 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K116TU,N场,30V,2.2A,N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
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