供应 场效应管 SSM3K35MFV SSM3K38MFV

  • 型号/规格:

    SSM3K35MFV

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    SOT-723

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    8000/盘

SSM3K35MFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,20V,0.18A,3Ω,带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 模拟开关应用 特点: * 1.2V驱动器 * 低导通电阻:Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1.2 V) :Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) :Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) :Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V) 产品型号:SSM3K35MFV 封装:SOT-723 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):9.5 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms):115 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):115 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):300 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K35MFV,20V,0.18A,3Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

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