类别：行业趋势 出处：网络整理 发布于：2024-07-24 11:17:59 | 83 次阅读
SiC MOSFET具有令人印象深刻的高击穿电压、低导通电阻和出色的导热性，使其成为高频和高温环境中功率开关器件的理想选择。
比较分析包 括对导通电阻、漏源电压、阈值电压、击穿电压和各种工作条件下的泄漏电流等关键指标的评估。
该报告还展示了被测设备的重要参数的数据和图表，包括在各种温度（-55°C至175°C）下测试的RDS（on）（VGS）、RDS（on）（IDS）、VDS、VGS（th）、VBR（DSS）、IDSS、IGSS、QG、IDS（VDS）和ISD（VSD）。例如，对Vgs（th）的温度演变和击穿电压Vbr进行了表征，以评估被比较器件在温度范围内的温度稳定性行为。
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