SI2301
Creator台湾创达
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
主要参数 晶体管类型 : P沟道MOSFET 功耗PD : 1.25W 栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值) 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:TA=25°时:-2.3A,TA=70°时:-1.5A 通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值) 栅极漏电流IGSS:±100nA 结温:55℃to+150℃ 封装:SOT-23(TO-236) 型号:SI2301 厂商:Creator台湾创达 类别:N渠道增强型场效应晶体管 描述: Creator台湾创达品牌下的SI2300的安装方式是贴片式,封装形式为SOT-23,可用作电源管理、电池保护,负载开关等。量多价优,欢迎各位朋友们来电咨询合作! 负责人:贝伟桢先生
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