ADV美国先进半导体
NDF10N60ZG
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
数据列表NDx10N60ZG产品相片TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏*至源*电压(Vdss)600V电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C10A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 5A, 10VId 时的 Vgs(th)()4.5V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs47nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1425pF @ 25V功率 - 36W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包供应商设备封装TO-220FP包装管件
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