供应MOS管,场效应管4N60 7N60 8N60

漏极电流：
1
材料：
GE-N-FET锗N沟道
种类：
绝缘栅(MOSFET)
型号/规格：
1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标：
SILAN/士兰微
用途：
DC/直流
沟道类型：
N沟道

SVD2N60M/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。&lowast; 2A，600V，RDS(on)=4.6Ω@VGS=10V&lowast; 低栅极电荷量&lowast; 低反向传输电容&lowast; 开关速度快&lowast; 提升了dv/dt 能力其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N40

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