SMBJ58A

型号/规格：
SMBJ58A
品牌/商标：
ST（意法半导体）
封装形式：
SMB
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装

对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。反向击穿齐纳击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。本公司成立于1996年,是一家的电子元器件分销商, 公司自成立以来秉承“产品、信誉、效率、服务、价格合理”的经营理念,凭借着的素质和执着的敬业精神,得到了广大供应商和客户的信赖与支持,在激烈的市场竞争中迅速崛起. 多种渠道供应客户需求的元器件是我们的优势军用品与工业级等高端电子元器件是我们的主要产品为了的服务客户，使客户体验可靠且便利的采购，我们也提供BOM 表的报价和供应，产品包括电阻，电容，二极管，三极管，

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