4寸6寸8寸
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产品简介 SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。 公司能够提供100mm, 125mm, 150mm以及200mm圆片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合圆片,高剂量和低剂量SIMOX圆片,并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。此外,公司还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系统集成用的高阻SIMOX圆片。 产品规格说明 外形尺寸 4"、5"、6"、8" 工艺 Smart cut; Bonding; SIMOX 类型 N/P 电阻率 可定制 顶层单晶厚度 0.22~50µm 埋氧层厚度 0.4~4µm 基底层厚度 100~500µm TTV < 3µm Paritlce <µm
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