IR/国际整流器
IRFBC40
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
产品技术参数典型关断延迟时间55 ns典型接通延迟时间13 ns典型栅*电荷@Vgs60 nC V @ 10典型输入电容值@Vds1300 pF V @ 25安装类型通孔宽度4.7mm封装类型TO-220AB尺寸10.41 x 4.7 x 9.01mm引脚数目3工作温度-55 °C功率耗散125 W栅源电压&plu*n;20 V漏源电压600 V漏源电阻值1.2 Ω连续漏*电流6.2 A工作温度+150 °C每片芯片元件数目1类别功率 MOSFET通道模式增强通道类型N配置单长度10.41mm高度9.01mm
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MOSFET 2N7002K-T1-GE3
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