美格纳代理商原装现货MDIS4N65B场效应管 MOS 场效应

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    MDIS4N65B

  • 材料:

    HEMT高电子迁移率

  • 用途:

    HG/高跨导

  • 品牌/商标:

    美格纳

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

MAGNACHIP也叫美格纳,具务技术能力,韩国的一个专名品牌,主要生产集成电路芯片。在欧洲,美国,台湾,中国,香*有办事处,年销售额达8亿美元,主要客户日本的夏普,韩国的三星电子等。MDD5N50(FQD5N50) TO-252 MDF5N50 TO-220FMDI4N60 TO-251 MDD2N60 TO-252MDI3N50 TO-251 MDD1654 TO-252MDF9N60 TO-220F MDP7N60 TO-220MDD2N60 TO-252 MDD1654 TO-252MDF10N50 TO-220F(500V 10A) MDF13N50 TO-220F(500V 13A)MDF12N50 TO-220F(500V 12A) MDF18N50 TO-220F(500V 18A)MDI3N50 TO251(500V 3A) MDI5N50 TO-251(500V 5A)MDP5N50 TO220(500V 5A) MDP7N50 TO-22(500V 7A)

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