DSEI2X121-02A
IXYS
无铅环保型
供应IXYS模块DSEI2X121-02A DSEI2X121-02A参数 制造商:德国IXYS 产品种类:IGBT 模块 RoHS:否 产品IGBT Silicon Modules 配置Hex VRRM=200V IFAV=2 X 123A trr=35ns 封装 / 箱体EconoPIM2 栅极/发射极电压+/- 20 V 工作温度- 40 C 安装风格Screw 标准包装：100/盒 IGBT介绍 IGBT的全名是(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极晶体管是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。 多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照像机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，一种是模压树脂密封的三端单体封装型，从TO－3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBT与FWD （FleeWheelDiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻
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电路保护 > 熔丝座 > 保险丝座 > Littelfuse 178.6164.0001
Fuji 2MBI400U2B-060-50 N通道 IGBT 模块, 半桥, 400 A 650 V, 7针 M233封装
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