SS8050D
LTX
TO92
无铅环保型
直插式
散装
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic=100uA, IE=0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic=0.1mA, IB=0 25 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=40V, IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current ICEO VCE=20V, IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V, IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=1V, IC=100mA 85 400 DC current gain hFE(2) VCE=1V, IC=800mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=800mA, IB=80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=800mA, IB=80mA 1.2 V Base-emitter voltage VBE VCE=1V, IC=10mA 1 V Transition frequency fT VCE=10V, IC=50mA,f=30MHZ 100 MHz
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