供应N通道600V晶体管MOSFET STD10NM60N

型号/规格：
STD10NM60N
品牌/商标：
ST（意法半导体）
封装形式：
TO252
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
盒带编带包装
功率特征：
小功率

制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 商标: STMicroelectronics Id-连续漏极电流: 10 A Vds-漏源极击穿电压: 600 V Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms 晶体管极性: N-Channel Qg-栅极电荷: 19 nC 工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 70 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DPAK-3 封装: Reel 配置: Single 下降时间: 15 ns 工作温度: - 55 C 上升时间: 12 ns 系列: N-channel MDmesh 工厂包装数量: 2500 典型关闭延迟时间: 32 ns

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