供应2N7002ET1G

  • 型号/规格:

    2N7002ET1G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT-23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 商标: ON Semiconductor Id-连续漏极电流: 260 mA Vds-漏源极击穿电压: 60 V Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V 工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 300 mW 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 封装: Reel 通道模式: Enhancement 配置: Single 下降时间: 1.2 ns 工作温度: - 55 C 上升时间: 1.2 ns 系列: 2N7002E 工厂包装数量: 3000 典型关闭延迟时间: 4.8 ns

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