供应2N7000TA

电压：
60V
功率：
400mW
输入电容：
50pF @ 25V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）

类别分立半导体产品家庭 FET - 单系列 - 包装剪切带（CT） FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能标准漏源极电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）不同Id，Vgs 时的Rds On（值） 5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 50pF @ 25V 功率 - 值 400mW 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体供应商器件封装 TO-92-3

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