供应MMBT5551LT1G

型号/规格：
MMBT5551LT1G
品牌/商标：
ON安森美
1：
功率 225mW
2：
封裝TO-236-3
3：
頻率 - 過渡 -
4：
DC 電流增益

規格書 MMBT5550L-51L, SMMBT5551L PCN 組裝地／原產地標準包裝 :3,000 類別離散半導體產品家族電晶體 (BJT) - 單一系列 - 包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 電晶體類型 NPN 電流 - 集極 (Ic)() 600mA 電壓 - 集極射極崩潰() 160V Vce 飽和(值)@ Ib、Ic 200mV @ 5mA、50mA 電流 - 集極臨界(值) 100nA DC 電流增益 (hFE)(值)@ Ic、Vce 80 @ 10mA、5V 功率 - 225mW 頻率 - 過渡 - 安裝類型表面黏著式封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)

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