FQU1N60CTU 功率场效应管, MOSFET, N沟道

晶体管极性：
N沟道
电流, Id 连续：
1A
漏源电压, Vds：
600V
在电阻RDS（上）：
2.8ohm
电压 @ Rds测量：
10V
阈值电压 Vgs：
4V
功耗 Pd：
28W
晶体管封装类型：
TO-251AA

为了满足广大客户的即时需求，公司在北京、深圳和香港等地都建立了自己的现货仓库，库存金额已接近一亿人民币。同时，公司通过强大的供货网络，可以随时从世界各地为客户调拨通用或紧缺元器件. 经营品牌 NXP,ON,DIODES,ST,FAIRCHILD,IR,INFINEON等各大品牌;主营产品: 原厂进口原装贴片二三极管,MOS管,电源管理IC,连接器等联系：传真：

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