类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管

集电极-发射极电压VCEO：15V

集电极-基极电压VCBO:20V

发射极-基极电压VEBO:2.5V

集电极直流电流IC:70mA

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:300mW

工作结温Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

封装形式：SOT-323

功率特性：中功率

封装材料：塑料封装

电性能参数（TA=25℃）编辑

击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V

直流放大系数hFE: 60～250 @VCE=6V,IC=20mA

集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)

发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)

特征频率fT:9.0GHz@ VCE=6V,IC=20mA

集电极允许电流IC：0.07（A）

集电极允许耗散功率PT：0.3（W）

功率增益GUM：15dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz

噪声系数NF：1.1dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz

反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。

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