磷化铟衬底

型号/规格：
InP
品牌/商标：
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电子材料(13)
∟ 半导体晶体材料(3)∟ 光电子材料(10)

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磷化铟的基本属性磷化铟(InP)是由III族元素铟(In)和V族元素磷(P)化合而成的III-V族化合物半导体材料。具有闪锌矿结构,晶格常数0.586 9
nm。InP单晶质地软脆,呈银灰色,有金属光泽。常温下禁带宽度1.344
eV,为直接跃迁型能带结构,发射波长0.92μm,室温下本征载流子浓度2×107cm-3,电子和空穴迁移率分别为4 500 cm2/V·s和150
cm2/V·s[1]。2
InP应用概况InP单晶按电学性质分为n型、p型和半绝缘型。n型InP单晶主要通过掺S和Sn等制备,电子浓度达1018cm-3,电阻率很低,一般为10-2~10-3Ω·cm,多用于高速光电器件如LD、LED、PIN-PD和PIN-APD等。而p型InP单晶主要通过掺Zn等制备,空穴浓度达1018cm-3,多用于高效抗辐射太阳能电池等。半绝缘(SI)InP单晶主要通过掺Fe和高温退火非掺杂InP两种方法制备

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